창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP042N03LGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP042N03L G IPP042N03LG IPP042N03LGIN IPP042N03LGIN-ND IPP042N03LGXK SP000680792 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP042N03LGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP042N03, IPP042N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | EEU-FC0J561BJ | 560µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | EEU-FC0J561BJ.pdf | |
![]() | PC908QC16CDRE | PC908QC16CDRE FREESCALE TSSOP28 | PC908QC16CDRE.pdf | |
![]() | 045036006299862+ | 045036006299862+ KYOCERA SMD or Through Hole | 045036006299862+.pdf | |
![]() | LSC412680P | LSC412680P mc DIP | LSC412680P.pdf | |
![]() | LC35256FM70VTLM | LC35256FM70VTLM SANYO SMD or Through Hole | LC35256FM70VTLM.pdf | |
![]() | 914-443-5011 | 914-443-5011 AIRPAX SMD or Through Hole | 914-443-5011.pdf | |
![]() | B93M-03 | B93M-03 FUJI TO-220 | B93M-03.pdf | |
![]() | MX29F001BQC-90G | MX29F001BQC-90G macron SMD or Through Hole | MX29F001BQC-90G.pdf | |
![]() | 5P6 | 5P6 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5P6.pdf | |
![]() | TXS0104EZX | TXS0104EZX TEXAS BGA | TXS0104EZX.pdf | |
![]() | ELXY250ELL331MH20D 1.3 | ELXY250ELL331MH20D 1.3 ORIGINAL DIP | ELXY250ELL331MH20D 1.3.pdf | |
![]() | 2STF166PM(T) | 2STF166PM(T) JRC TSSOP | 2STF166PM(T).pdf |