창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP042N03LGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP042N03L G IPP042N03LG IPP042N03LGIN IPP042N03LGIN-ND IPP042N03LGXK SP000680792 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP042N03LGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP042N03, IPP042N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
7440620015 | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 18 mOhm Max 2727 (6868 Metric) | 7440620015.pdf | ||
RG2012P-821-D-T5 | RES SMD 820 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-821-D-T5.pdf | ||
HRG3216P-1541-D-T1 | RES SMD 1.54K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1541-D-T1.pdf | ||
RNF12FTD1M74 | RES 1.74M OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD1M74.pdf | ||
M6300-STC81HXM | M6300-STC81HXM ELAN SMD or Through Hole | M6300-STC81HXM.pdf | ||
VB40100C-E3 | VB40100C-E3 VISHAY TO-263 | VB40100C-E3.pdf | ||
knp2wsjt-52-6r8 | knp2wsjt-52-6r8 yageo SMD or Through Hole | knp2wsjt-52-6r8.pdf | ||
7000-23051-3621000 | 7000-23051-3621000 MURR SMD or Through Hole | 7000-23051-3621000.pdf | ||
74F245D,623 | 74F245D,623 PHILIPS SMD or Through Hole | 74F245D,623.pdf | ||
NA765851 | NA765851 ORIGINAL PLCC-84L | NA765851.pdf | ||
6127V1A360L5FS | 6127V1A360L5FS ORIGINAL CALL | 6127V1A360L5FS.pdf | ||
172135-10 | 172135-10 ORIGINAL NEW | 172135-10.pdf |