창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP041N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP041N12N3G IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP041N12N3 G | |
관련 링크 | IPP041N, IPP041N12N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | STGD10HF60KD | IGBT 600V 10A DPAK | STGD10HF60KD.pdf | |
![]() | CA00021R000JB14 | RES 1 OHM 2W 5% AXIAL | CA00021R000JB14.pdf | |
![]() | LSA676-R1S1-1 | LSA676-R1S1-1 OSRAM SMD or Through Hole | LSA676-R1S1-1.pdf | |
![]() | NTD30N06RT4 | NTD30N06RT4 ON SOT-252 | NTD30N06RT4.pdf | |
![]() | PIC17C43-33/PT | PIC17C43-33/PT MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC17C43-33/PT.pdf | |
![]() | B59100C0070A070 | B59100C0070A070 EPCOS SMD or Through Hole | B59100C0070A070.pdf | |
![]() | RURD3020 | RURD3020 HARRIS SMD or Through Hole | RURD3020.pdf | |
![]() | BCR16KM-14LA | BCR16KM-14LA Renesas TO-220F | BCR16KM-14LA.pdf | |
![]() | 50TWL10M6.3X7 | 50TWL10M6.3X7 RUBYCON DIP | 50TWL10M6.3X7.pdf | |
![]() | S24CS02A-J800IE | S24CS02A-J800IE SEIKO SOP-8 | S24CS02A-J800IE.pdf | |
![]() | H724LC08 | H724LC08 HT MSOP-8 | H724LC08.pdf | |
![]() | IS45S32800D-6TL | IS45S32800D-6TL ISSI TSOP | IS45S32800D-6TL.pdf |