창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP040N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx037,40N06N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP040N06N3 G IPP040N06N3 G-ND IPP040N06N3G SP000680788 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP040N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP040N06N, IPP040N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH127C/ANP-101MC | 100µH Shielded Inductor 1.5A 139.4 mOhm Max Nonstandard | CDRH127C/ANP-101MC.pdf | |
![]() | CRCW0201121RFNED | RES SMD 121 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201121RFNED.pdf | |
![]() | CMF5543R200FHEB | RES 43.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5543R200FHEB.pdf | |
![]() | B140XW01-V9 | B140XW01-V9 AUO SMD or Through Hole | B140XW01-V9.pdf | |
![]() | TMC57605TB56 | TMC57605TB56 ORIGINAL SMD or Through Hole | TMC57605TB56.pdf | |
![]() | LG8P6008S20 | LG8P6008S20 LGT SOP20 | LG8P6008S20.pdf | |
![]() | LD1085V-ADJ | LD1085V-ADJ ORIGINAL SMD or Through Hole | LD1085V-ADJ.pdf | |
![]() | CW0011K000JB12 | CW0011K000JB12 vishay SMD or Through Hole | CW0011K000JB12.pdf | |
![]() | N3839TD300 | N3839TD300 Westcode SMD or Through Hole | N3839TD300.pdf | |
![]() | BZX84C12T P2 | BZX84C12T P2 ZTJ SOT-523 | BZX84C12T P2.pdf | |
![]() | PG2319 | PG2319 AMPOWER T R | PG2319.pdf | |
![]() | GBLA005 | GBLA005 VISHAY SMD or Through Hole | GBLA005.pdf |