창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP037N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx035N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.75m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP037N08N3 G IPP037N08N3 G-ND IPP037N08N3G SP000680776 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP037N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP037N08N, IPP037N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SMH6.3VN473M30X35T2 | 47000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 21 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMH6.3VN473M30X35T2.pdf | |
![]() | 6R3R15X475KV4E | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 6R3R15X475KV4E.pdf | |
![]() | ABMM2-12.000MHZ-E2-T | 12MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABMM2-12.000MHZ-E2-T.pdf | |
![]() | TAJA226K010RNJ) | TAJA226K010RNJ) AVX A | TAJA226K010RNJ).pdf | |
![]() | DP8570AV NOPB | DP8570AV NOPB NS SMD or Through Hole | DP8570AV NOPB.pdf | |
![]() | SCDS74T-1R0N | SCDS74T-1R0N ORIGINAL 1K | SCDS74T-1R0N.pdf | |
![]() | UFR7020R | UFR7020R ORIGINAL DO-5 | UFR7020R.pdf | |
![]() | 1300R30V | 1300R30V ORIGINAL MSOP8 | 1300R30V.pdf | |
![]() | CAT93C76VIG | CAT93C76VIG CSI SOIC-8 | CAT93C76VIG.pdf | |
![]() | MB468P | MB468P Fujitsu DIP14 | MB468P.pdf | |
![]() | ECHU1C222JX5/PB | ECHU1C222JX5/PB ORIGINAL SMD or Through Hole | ECHU1C222JX5/PB.pdf |