창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP037N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx035N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.75m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 155µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8110pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP037N08N3 G IPP037N08N3 G-ND IPP037N08N3G SP000680776 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP037N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP037N08N, IPP037N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RF251-12 | RF251-12 CONEXANT QFP | RF251-12.pdf | |
![]() | 88E6060-RC1 | 88E6060-RC1 NNNN QFP | 88E6060-RC1.pdf | |
![]() | SRS4-4-01 | SRS4-4-01 RICHCO SRSSeriesNaturalN | SRS4-4-01.pdf | |
![]() | SU700-12S24-QZ | SU700-12S24-QZ SUCCEED DIP | SU700-12S24-QZ.pdf | |
![]() | ADF03 | ADF03 ORIGINAL DIP6 | ADF03.pdf | |
![]() | SG8002CA25.000MPCM2 | SG8002CA25.000MPCM2 EPSON SMD | SG8002CA25.000MPCM2.pdf | |
![]() | BCR129FE6327 | BCR129FE6327 INFINEON SC-75 | BCR129FE6327.pdf | |
![]() | 12509A-E/SMD93 | 12509A-E/SMD93 MIC 8SOIJ | 12509A-E/SMD93.pdf | |
![]() | HY91PWXNS405-C | HY91PWXNS405-C ORIGINAL BGA | HY91PWXNS405-C.pdf | |
![]() | d80c320qn | d80c320qn ORIGINAL SMD or Through Hole | d80c320qn.pdf | |
![]() | OR2T40A4BA352-DB | OR2T40A4BA352-DB LUCENT ORIGINAL | OR2T40A4BA352-DB.pdf | |
![]() | TRW1048J6 | TRW1048J6 TRW DIP | TRW1048J6.pdf |