창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP030N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP,IPI030N10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 275µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP030N10N3 G IPP030N10N3 G-ND IPP030N10N3G SP000680768 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP030N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP030N10N, IPP030N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RT0603FRE07374KL | RES SMD 374K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE07374KL.pdf | |
![]() | CRCW12184R70FNEK | RES SMD 4.7 OHM 1% 1W 1218 | CRCW12184R70FNEK.pdf | |
![]() | F3SJ-A1900P25-TS | F3SJ-A1900P25-TS | F3SJ-A1900P25-TS.pdf | |
![]() | 34064303-303 | 34064303-303 BB SMD or Through Hole | 34064303-303.pdf | |
![]() | SWS-22 | SWS-22 N/A DIP-16 | SWS-22.pdf | |
![]() | 1210-476Z | 1210-476Z TDK 1210 | 1210-476Z.pdf | |
![]() | BQ3 | BQ3 NO SMD or Through Hole | BQ3.pdf | |
![]() | AS233300009 | AS233300009 ORIGINAL DIP-14 | AS233300009.pdf | |
![]() | SMLJ100A-TP | SMLJ100A-TP MCC SMC | SMLJ100A-TP.pdf | |
![]() | TLP531- | TLP531- TOS SMD or Through Hole | TLP531-.pdf | |
![]() | MAX640EPA | MAX640EPA MAXIM DIP8 | MAX640EPA.pdf | |
![]() | BA6849FP-E2. | BA6849FP-E2. ROHM HSOP28 | BA6849FP-E2..pdf |