창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP028N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP,IPI028N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14200pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP028N08N3 G IPP028N08N3 G-ND IPP028N08N3G SP000680766 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP028N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP028N08N, IPP028N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | W3A43C471KAT2A | 470pF Isolated Capacitor 4 Array 25V X7R 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | W3A43C471KAT2A.pdf | |
![]() | ECH-S1392JZ | 3900pF Film Capacitor 100V Polyphenylene Sulfide (PPS) Radial 0.394" L x 0.177" W (10.00mm x 4.50mm) | ECH-S1392JZ.pdf | |
![]() | B39321B3783Z810 | FILTER SAW 315.00MHZ SMD | B39321B3783Z810.pdf | |
![]() | 5022R-332J | 3.3µH Unshielded Inductor 430mA 2 Ohm Max 2-SMD | 5022R-332J.pdf | |
![]() | AT0402DRE076K81L | RES SMD 6.81KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE076K81L.pdf | |
![]() | RG3216N-7150-D-T5 | RES SMD 715 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-7150-D-T5.pdf | |
![]() | TB62237FG.KYU.MJ | TB62237FG.KYU.MJ TOSHIBA TQFPPB | TB62237FG.KYU.MJ.pdf | |
![]() | GF-GO7600-H-A2 | GF-GO7600-H-A2 NVIDIA BGA | GF-GO7600-H-A2.pdf | |
![]() | ATV5000-25UC | ATV5000-25UC AT WPGA68 | ATV5000-25UC.pdf | |
![]() | CBL2016T2R2M-K | CBL2016T2R2M-K TAIYO SMD | CBL2016T2R2M-K.pdf |