창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP028N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP,IPI028N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14200pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP028N08N3 G IPP028N08N3 G-ND IPP028N08N3G SP000680766 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP028N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP028N08N, IPP028N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BFC236922563 | 0.056µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC236922563.pdf | ||
SSQ 4 | FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD | SSQ 4.pdf | ||
SI8462AB-B-IS1 | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 6 Channel 1Mbps 25kV/µs (Typ) CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8462AB-B-IS1.pdf | ||
AN12974A-PB+ | AN12974A-PB+ PO QFN | AN12974A-PB+.pdf | ||
7A13500043 13.5MHZ 20PF | 7A13500043 13.5MHZ 20PF TXC 2P 5032 | 7A13500043 13.5MHZ 20PF.pdf | ||
BPD-RQ03DY-A | BPD-RQ03DY-A BRIGHT ROHS | BPD-RQ03DY-A.pdf | ||
ES1AWT/R | ES1AWT/R PANJIT SMA(W) | ES1AWT/R.pdf | ||
D44165184AF5-E35-EQ2 | D44165184AF5-E35-EQ2 ORIGINAL BGA | D44165184AF5-E35-EQ2.pdf | ||
TLJR336M004RNJ | TLJR336M004RNJ AVX R | TLJR336M004RNJ.pdf | ||
UVR1V101MEA1TA | UVR1V101MEA1TA NICHICON SMD or Through Hole | UVR1V101MEA1TA.pdf | ||
FCUE | FCUE NEC BGA-352P | FCUE.pdf |