창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP028N08N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP,IPI028N08N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14200pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP028N08N3 G IPP028N08N3 G-ND IPP028N08N3G SP000680766 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP028N08N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP028N08N, IPP028N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B43455A6108M | 1000µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 10000 Hrs @ 85°C | B43455A6108M.pdf | |
![]() | SMAJ6.0ATR | TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMA | SMAJ6.0ATR.pdf | |
![]() | 94-2311PBF | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 94-2311PBF.pdf | |
![]() | MNR35J5RJ122 | RES ARRAY 8 RES 1.2K OHM 2512 | MNR35J5RJ122.pdf | |
![]() | 336M | 336M SPARGUE DIP-4 | 336M.pdf | |
![]() | MMBD3521LT1 | MMBD3521LT1 ON SMD or Through Hole | MMBD3521LT1.pdf | |
![]() | ST-4 TG 50K 5X5 50K | ST-4 TG 50K 5X5 50K COPAL SMD or Through Hole | ST-4 TG 50K 5X5 50K.pdf | |
![]() | ZC503315CB | ZC503315CB MOTOROLA DIP | ZC503315CB.pdf | |
![]() | LMN08DPA180K-T | LMN08DPA180K-T TAIYO SMD | LMN08DPA180K-T.pdf | |
![]() | TS274AI | TS274AI ST SO-14 | TS274AI.pdf | |
![]() | ILD755-1-X001 | ILD755-1-X001 VishaySemicond SOP.DIP | ILD755-1-X001.pdf |