창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP027N08N5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP027N08N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 154µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8970pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001132484 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP027N08N5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP027N08, IPP027N08N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 12105A102KAT9A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12105A102KAT9A.pdf | |
![]() | 4470-41H | 2.2mH Unshielded Molded Inductor 120mA 35 Ohm Max Axial | 4470-41H.pdf | |
![]() | CR0805-FX-1872ELF | RES SMD 18.7K OHM 1% 1/8W 0805 | CR0805-FX-1872ELF.pdf | |
![]() | PU49281 | PU49281 JVC N A | PU49281.pdf | |
![]() | LC4256B-75FN256AI | LC4256B-75FN256AI LATTICE BGA | LC4256B-75FN256AI.pdf | |
![]() | IRU1010-25CSTR | IRU1010-25CSTR IR SOP-8 | IRU1010-25CSTR.pdf | |
![]() | 541370778 | 541370778 MOLEX SMD or Through Hole | 541370778.pdf | |
![]() | 12064971 | 12064971 ORIGINAL SMD or Through Hole | 12064971.pdf | |
![]() | TC070WGCCX-TCONBOARD | TC070WGCCX-TCONBOARD ORIGINAL SMD or Through Hole | TC070WGCCX-TCONBOARD.pdf | |
![]() | BTW58 | BTW58 PH TO-22 | BTW58.pdf | |
![]() | I1-200/883c | I1-200/883c HARRIS DIP | I1-200/883c.pdf | |
![]() | FH12F-6S-0.5SH/55 | FH12F-6S-0.5SH/55 HIROSE SMD or Through Hole | FH12F-6S-0.5SH/55.pdf |