창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP027N08N5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP027N08N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 154µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8970pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001132484 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP027N08N5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP027N08, IPP027N08N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMF55523R00FKEK | RES 523 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55523R00FKEK.pdf | |
![]() | DS1307Z+TR | DS1307Z+TR MAXIM SMD or Through Hole | DS1307Z+TR.pdf | |
![]() | F800BT55VI | F800BT55VI AMD BGA | F800BT55VI.pdf | |
![]() | LE80536 1.2/2M/400 SL8LS | LE80536 1.2/2M/400 SL8LS INTEL BGA | LE80536 1.2/2M/400 SL8LS.pdf | |
![]() | DS1213C/D | DS1213C/D DALLAS DIP-28 | DS1213C/D.pdf | |
![]() | QSPS16JLF1-470 | QSPS16JLF1-470 BOURNS TSOP-16 | QSPS16JLF1-470.pdf | |
![]() | CG36CXJ | CG36CXJ CHINA SMD or Through Hole | CG36CXJ.pdf | |
![]() | UAA1018-A | UAA1018-A ITT DIP 18 | UAA1018-A.pdf | |
![]() | CG5955AA | CG5955AA CRPRESS SMD or Through Hole | CG5955AA.pdf | |
![]() | RTD2280L-GR | RTD2280L-GR RTL LQFP | RTD2280L-GR.pdf | |
![]() | TPCT4204(TE12L,E) | TPCT4204(TE12L,E) TOSHIBA FET | TPCT4204(TE12L,E).pdf | |
![]() | DIRIT03E | DIRIT03E BB SMD-28 | DIRIT03E.pdf |