창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP023N10N5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP023N10N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001120504 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP023N10N5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP023N10, IPP023N10N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 403C35D12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35D12M00000.pdf | |
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![]() | TLM1V226DSSR | TLM1V226DSSR ORIGINAL SMD or Through Hole | TLM1V226DSSR.pdf | |
![]() | GRM40Y5V104Z024AD | GRM40Y5V104Z024AD MUR CAP | GRM40Y5V104Z024AD.pdf | |
![]() | MCR03EZPFX7500^ | MCR03EZPFX7500^ Rohm SMD or Through Hole | MCR03EZPFX7500^.pdf | |
![]() | SAN82C206-N | SAN82C206-N SAB PLCC-84P | SAN82C206-N.pdf |