창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP020N08N5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP020N08N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 280µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 223nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16900pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001132480 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP020N08N5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP020N08, IPP020N08N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRL2010-FW-R910ELF | RES SMD 0.91 OHM 1% 1/2W 2010 | CRL2010-FW-R910ELF.pdf | |
![]() | RNF14FTC665K | RES 665K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC665K.pdf | |
![]() | PR02000201102JA100 | PR02000201102JA100 Vishay SMD or Through Hole | PR02000201102JA100.pdf | |
![]() | UL635H256SC45 | UL635H256SC45 ZMD SOP28 | UL635H256SC45.pdf | |
![]() | 015-91-2080 | 015-91-2080 MOLEX SMD or Through Hole | 015-91-2080.pdf | |
![]() | RN2422(TE85R) | RN2422(TE85R) Toshiba SMD or Through Hole | RN2422(TE85R).pdf | |
![]() | AZ1084US-3.3TRE1 | AZ1084US-3.3TRE1 BCD SMD or Through Hole | AZ1084US-3.3TRE1.pdf | |
![]() | 0604HQ-6N8XJC | 0604HQ-6N8XJC coilcraft SMD | 0604HQ-6N8XJC.pdf | |
![]() | TQFP100 | TQFP100 CY QFP-100 | TQFP100.pdf | |
![]() | P80C88-2 | P80C88-2 INTERSIL DIP | P80C88-2.pdf | |
![]() | 199D686X9025F6V1 | 199D686X9025F6V1 VISHAY DIP-2 | 199D686X9025F6V1.pdf | |
![]() | S32HMD24926BAEA10 | S32HMD24926BAEA10 SPANSION SMD or Through Hole | S32HMD24926BAEA10.pdf |