창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP015N04NGXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP015N04N G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20000pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP015N04N G IPP015N04N G-ND IPP015N04NG SP000680760 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP015N04NGXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP015N04, IPP015N04NGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | F1772SX241531KI0W0 | 0.15µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial | F1772SX241531KI0W0.pdf | |
![]() | DSN6NB31H330Q55B | 33pF Feed Through Capacitor 50V 6A Radial - 3 Leads | DSN6NB31H330Q55B.pdf | |
![]() | STMPE321QTR | Capacitive Touch Buttons 12-QFN (2.2x1.5) | STMPE321QTR.pdf | |
![]() | 267M6301156MR238 | 267M6301156MR238 MATSUO A2 | 267M6301156MR238.pdf | |
![]() | MNBZ5233BLT1 | MNBZ5233BLT1 ON SOT | MNBZ5233BLT1.pdf | |
![]() | AD5262BRUZ200-RL7 | AD5262BRUZ200-RL7 ORIGINAL SMD or Through Hole | AD5262BRUZ200-RL7.pdf | |
![]() | 1330-32K/R500 | 1330-32K/R500 DLV SMD or Through Hole | 1330-32K/R500.pdf | |
![]() | BFW43S | BFW43S ST TO-39 | BFW43S.pdf | |
![]() | L400BT70VI | L400BT70VI AMD BGA | L400BT70VI.pdf | |
![]() | AP1117D18G-13-89 | AP1117D18G-13-89 DIODES TO 252 | AP1117D18G-13-89.pdf | |
![]() | 88E1111B0-RCJ-T147 | 88E1111B0-RCJ-T147 MARVELL SMD or Through Hole | 88E1111B0-RCJ-T147.pdf | |
![]() | ABTH16260DLR | ABTH16260DLR TI SSOP56 | ABTH16260DLR.pdf |