창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPL65R660E6AUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPL65R660E6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ E6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerTSFN | |
공급 장치 패키지 | Thin-Pak(8x8) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP000895212 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPL65R660E6AUMA1 | |
관련 링크 | IPL65R660, IPL65R660E6AUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C0805C333J1RACTU | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C333J1RACTU.pdf | ||
SB560A-E3/54 | DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD | SB560A-E3/54.pdf | ||
SU9V-10005 | 500µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 300 mOhm | SU9V-10005.pdf | ||
T396B156K003AS | T396B156K003AS KEMET DIP | T396B156K003AS.pdf | ||
HFC1005GTT0R90 | HFC1005GTT0R90 KOA SMD or Through Hole | HFC1005GTT0R90.pdf | ||
PCD3321CT | PCD3321CT SIG SOP | PCD3321CT.pdf | ||
RN73F2BTD7321B | RN73F2BTD7321B ORIGINAL SMD | RN73F2BTD7321B.pdf | ||
C1812JKX7R9BB154 | C1812JKX7R9BB154 YAGEO SMD or Through Hole | C1812JKX7R9BB154.pdf | ||
DS8104AQR | DS8104AQR STM QFP | DS8104AQR.pdf | ||
MNB-1011 | MNB-1011 NA SMD or Through Hole | MNB-1011.pdf | ||
FPC39-62060-01 | FPC39-62060-01 OKI DIP18 | FPC39-62060-01.pdf | ||
DOR110-56 | DOR110-56 ST SOP | DOR110-56.pdf |