창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPL65R660E6AUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPL65R660E6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ E6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerTSFN | |
공급 장치 패키지 | Thin-Pak(8x8) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP000895212 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPL65R660E6AUMA1 | |
관련 링크 | IPL65R660, IPL65R660E6AUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ASD-19.200MHZ-C-S-T3 | 19.2MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA Enable/Disable | ASD-19.200MHZ-C-S-T3.pdf | |
![]() | AZ220KE | RES 22 OHM 5.5W 10% RADIAL | AZ220KE.pdf | |
![]() | RF8878-333LGT | RF8878-333LGT SAMSUNG QFP | RF8878-333LGT.pdf | |
![]() | 7764S | 7764S FDS SOP8 | 7764S.pdf | |
![]() | REG113NA-2.5/250G4 | REG113NA-2.5/250G4 TI SOT23-5 | REG113NA-2.5/250G4.pdf | |
![]() | G2R-112S-V-US-100VDC | G2R-112S-V-US-100VDC OMRON SMD or Through Hole | G2R-112S-V-US-100VDC.pdf | |
![]() | ILC7082AR3030X | ILC7082AR3030X FAIRCHILD MSOP-10 | ILC7082AR3030X.pdf | |
![]() | KM681000CLT7L | KM681000CLT7L SEC TSSOP32 | KM681000CLT7L.pdf | |
![]() | SN74HC4051PW | SN74HC4051PW TI TSOP16 | SN74HC4051PW.pdf | |
![]() | UPD703033BYGC-J26 | UPD703033BYGC-J26 NEC QFP | UPD703033BYGC-J26.pdf | |
![]() | LTAE | LTAE LINEAR SMD | LTAE.pdf | |
![]() | 24AA64-I/MC-G | 24AA64-I/MC-G MICROCHIP DFN8 2x3 | 24AA64-I/MC-G.pdf |