창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI80P04P407AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80P04P4-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 89nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6085pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000842042 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI80P04P407AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI80P04P4, IPI80P04P407AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F500X2CDR | 50MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F500X2CDR.pdf | |
![]() | SCRH127-471 | 470µH Shielded Inductor 920mA 980 mOhm Max Nonstandard | SCRH127-471.pdf | |
![]() | RP73D2A1K58BTDF | RES SMD 1.58K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A1K58BTDF.pdf | |
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![]() | FAST 08248503 | FAST 08248503 PHI SOP-20 | FAST 08248503.pdf | |
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![]() | AMS1085CD-25 | AMS1085CD-25 AMS TO-252 | AMS1085CD-25.pdf | |
![]() | MIC33050-GYHLTR | MIC33050-GYHLTR MIS SMD or Through Hole | MIC33050-GYHLTR.pdf | |
![]() | MW5IC970GNBR1 | MW5IC970GNBR1 FREESCALE SMD or Through Hole | MW5IC970GNBR1.pdf | |
![]() | H7667SIBA | H7667SIBA INTERSIL SOP-8 | H7667SIBA.pdf | |
![]() | HSO751S 14.31818MHz | HSO751S 14.31818MHz HELE SMD or Through Hole | HSO751S 14.31818MHz.pdf |