Infineon Technologies IPI80N06S4L07AKSA2

IPI80N06S4L07AKSA2
제조업체 부품 번호
IPI80N06S4L07AKSA2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPI80N06S4L07AKSA2 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 590.27000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPI80N06S4L07AKSA2 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPI80N06S4L07AKSA2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPI80N06S4L07AKSA2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPI80N06S4L07AKSA2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPI80N06S4L07AKSA2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPI80N06S4L07AKSA2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx80N06S4L-07
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.7m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 40µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs72nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5680pF @ 25V
전력 - 최대79W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지PG-TO262-3-1
표준 포장 500
다른 이름SP001028678
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPI80N06S4L07AKSA2
관련 링크IPI80N06S4, IPI80N06S4L07AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPI80N06S4L07AKSA2 의 관련 제품
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P IXTQ26P20P.pdf
RES SMD 13.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 RG3216V-1372-D-T5.pdf
AD7303BRM(D1B) AD MSOP8 AD7303BRM(D1B).pdf
MB87L207PFV-G-BND FUJ SMD or Through Hole MB87L207PFV-G-BND.pdf
ICX278AK-7 ORIGINAL SMD or Through Hole ICX278AK-7.pdf
LU822973-04V-GB-E ORIGINAL BGA LU822973-04V-GB-E.pdf
RC06K103JT YAGEO SMD or Through Hole RC06K103JT.pdf
ZR431Z ZETEX SOT-89 ZR431Z.pdf
SD07H0SK itt SMD or Through Hole SD07H0SK.pdf
EMVE251GTR220MLH0S NIPPON SMD or Through Hole EMVE251GTR220MLH0S.pdf
M32700S4AFP ORIGINAL DIP14 M32700S4AFP.pdf
AAOC ORIGINAL 6 SOT-23 AAOC.pdf