Infineon Technologies IPI80N06S407AKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPI80N06S407AKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPI80N06S407AKSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPI80N06S407AKSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPI80N06S407AKSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPI80N06S407AKSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPI80N06S407AKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI80N06S407AKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S407AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S4-07 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 40µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI80N06S4-07 IPI80N06S4-07-ND SP000415690 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI80N06S407AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI80N06S4, IPI80N06S407AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPI80N06S407AKSA1 의 관련 제품
.jpg) | CL03A103KA3NNNC | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03A103KA3NNNC.pdf | |
 | VJ0805D910KXCAP | 91pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910KXCAP.pdf | |
| 4922R-27K | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 630mA 998 mOhm Max 2-SMD | 4922R-27K.pdf | |
| 644.5313MHZ-7311E- | 644.5313MHZ-7311E- ORIGINAL 3225 | 644.5313MHZ-7311E-.pdf | |
| 160LSW1800M36X83 | 160LSW1800M36X83 RUBYCON DIP | 160LSW1800M36X83.pdf | |
| AP2139AK-2.8TRG1 | AP2139AK-2.8TRG1 BCD SMD or Through Hole | AP2139AK-2.8TRG1.pdf | |
| HP31H472MCXPF | HP31H472MCXPF HIT SMD or Through Hole | HP31H472MCXPF.pdf | |
| FRGB1312CE-26-TF | FRGB1312CE-26-TF STANLEY SMD or Through Hole | FRGB1312CE-26-TF.pdf | |
| ATC600F2R4CT250XT | ATC600F2R4CT250XT ATC SMD or Through Hole | ATC600F2R4CT250XT.pdf | |
| C1206C101J1GA7800 | C1206C101J1GA7800 KEMET SMD1206 | C1206C101J1GA7800.pdf | |
| GCM32B7U3A122JX01L | GCM32B7U3A122JX01L MURATA SMD | GCM32B7U3A122JX01L.pdf | |
| LTC1701BES5#MPBF | LTC1701BES5#MPBF LINFAR TSOT-23-5 | LTC1701BES5#MPBF.pdf |