창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S208AKSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-08 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 215W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001067886 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S208AKSA2 | |
관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S208AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C0402T221K3RACTU | 220pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402T221K3RACTU.pdf | ||
1N5401-TP | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | 1N5401-TP.pdf | ||
TQ2SA-3V-Z | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | TQ2SA-3V-Z.pdf | ||
PEF22554HTV1.3 | PEF22554HTV1.3 infineon TQFP | PEF22554HTV1.3.pdf | ||
F3400 3.6864MHZ | F3400 3.6864MHZ ORIGINAL SMD | F3400 3.6864MHZ.pdf | ||
KA100O012M-BJTT | KA100O012M-BJTT SAMSUNG BGA | KA100O012M-BJTT.pdf | ||
450-09 | 450-09 TI DIP8 | 450-09.pdf | ||
AX3117AESA | AX3117AESA AXELITE SOP-8L-EP | AX3117AESA.pdf | ||
B4B-PH-SM4-TBT(LF)(SN) | B4B-PH-SM4-TBT(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B4B-PH-SM4-TBT(LF)(SN).pdf | ||
DM-OSC-B03/A | DM-OSC-B03/A RedLion SMD or Through Hole | DM-OSC-B03/A.pdf | ||
GAL22V10-25LNI | GAL22V10-25LNI ORIGINAL DIP | GAL22V10-25LNI.pdf | ||
860EMCZP50D4 | 860EMCZP50D4 ORIGINAL SMD or Through Hole | 860EMCZP50D4.pdf |