창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S208AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-08 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 215W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N06S2-08 IPI80N06S2-08-ND SP000218828 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S208AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S208AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 2256R-44J | 3.9mH Unshielded Molded Inductor 110mA 33 Ohm Max Axial | 2256R-44J.pdf | |
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![]() | RAVF164DJT27K0 | RES ARRAY 4 RES 27K OHM 1206 | RAVF164DJT27K0.pdf | |
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![]() | UC2210 | UC2210 UNIDEN QFP | UC2210.pdf | |
![]() | 1W 4.7V | 1W 4.7V ST DIP | 1W 4.7V.pdf | |
![]() | SABC504-2E | SABC504-2E INFINEON QFP | SABC504-2E.pdf | |
![]() | 412656-0210 | 412656-0210 DENSO QFP | 412656-0210.pdf | |
![]() | Z84C3006PEC/CTC | Z84C3006PEC/CTC ZI SMD or Through Hole | Z84C3006PEC/CTC.pdf | |
![]() | LM219AMJG | LM219AMJG NSC CDIP14 | LM219AMJG.pdf |