창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S403AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N04S4-03 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 53µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI80N04S4-03 IPI80N04S4-03-ND SP000671634 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI80N04S403AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI80N04S4, IPI80N04S403AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 5KP10E3/TR13 | TVS DIODE 10VWM 18.8VC P600 | 5KP10E3/TR13.pdf | |
| VS-15ETH06FPPBF | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | VS-15ETH06FPPBF.pdf | ||
![]() | 816-2030-F35R | 816-2030-F35R AMP SMD or Through Hole | 816-2030-F35R.pdf | |
![]() | umz-1044-R16 | umz-1044-R16 RFMD SMD or Through Hole | umz-1044-R16.pdf | |
![]() | CS5142 | CS5142 CS DIP | CS5142.pdf | |
![]() | SRC-51T-M4 | SRC-51T-M4 JST ROHS | SRC-51T-M4.pdf | |
![]() | SQCB7M4R7BATME | SQCB7M4R7BATME AVX SMD | SQCB7M4R7BATME.pdf | |
![]() | 49N212CIL | 49N212CIL ICS QFN32 | 49N212CIL.pdf | |
![]() | LA7564 | LA7564 N/A DIP-24 | LA7564.pdf | |
![]() | SMM0204MS150549R1BE | SMM0204MS150549R1BE DRALORIC SMD or Through Hole | SMM0204MS150549R1BE.pdf | |
![]() | T520T336M008AE070 | T520T336M008AE070 KEMET SMD or Through Hole | T520T336M008AE070.pdf | |
![]() | DS26C32MJ | DS26C32MJ NS DIP | DS26C32MJ.pdf |