창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S3H4AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-H4 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 65µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N04S3-H4 IPI80N04S3-H4-ND SP000415630 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N04S3H4AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N04S3, IPI80N04S3H4AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | UCA2V220MHD1TO | 22µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCA2V220MHD1TO.pdf | |
![]() | RST 315-BULK | FUSE BOARD MNT 315MA 250VAC RAD | RST 315-BULK.pdf | |
![]() | TMOV25SP550E | VARISTOR 910V 20KA SQUARE 28MM | TMOV25SP550E.pdf | |
![]() | ERA-3YEB222V | RES SMD 2.2K OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3YEB222V.pdf | |
![]() | RT0603WRC0722R1L | RES SMD 22.1OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRC0722R1L.pdf | |
![]() | CH7305 | CH7305 CHRONTEL LQPF64 | CH7305.pdf | |
![]() | COP87L40CJM-IN | COP87L40CJM-IN ORIGINAL SOP | COP87L40CJM-IN.pdf | |
![]() | P2SMSJ100A | P2SMSJ100A Yeashin SOD-123S | P2SMSJ100A.pdf | |
![]() | IRF810 | IRF810 ORIGINAL TOP220 | IRF810.pdf | |
![]() | GLF2012T100M H12 | GLF2012T100M H12 TDKA SMD or Through Hole | GLF2012T100M H12.pdf | |
![]() | ZI49FCT805TSF | ZI49FCT805TSF ZTEIC SOIC20 | ZI49FCT805TSF.pdf | |
![]() | EP2C5QQ208C8N | EP2C5QQ208C8N ORIGINAL SMD or Through Hole | EP2C5QQ208C8N.pdf |