창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S303AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-03 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N04S3-03 IPI80N04S3-03-ND SP000261238 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N04S303AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N04S3, IPI80N04S303AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 7M26000055 | 26MHz ±10ppm 수정 10pF -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M26000055.pdf | |
![]() | 4470-41G | 2.2mH Unshielded Molded Inductor 120mA 35 Ohm Max Axial | 4470-41G.pdf | |
![]() | RT1206DRD072K43L | RES SMD 2.43K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD072K43L.pdf | |
![]() | SR1218JK-071KL | RES SMD 1K OHM 1W 1812 WIDE | SR1218JK-071KL.pdf | |
![]() | KTC3770F-B1-RTK/P | KTC3770F-B1-RTK/P KEC SOD-423 | KTC3770F-B1-RTK/P.pdf | |
![]() | VSF2682BFSB | VSF2682BFSB TOSHIBA BGA | VSF2682BFSB.pdf | |
![]() | 25v220uf 8x10 10x10 | 25v220uf 8x10 10x10 ELNANC SMD or Through Hole | 25v220uf 8x10 10x10.pdf | |
![]() | M40A39CA | M40A39CA EPSON DIP-32 | M40A39CA.pdf | |
![]() | R76QN2330CK30K | R76QN2330CK30K KEMET SMD or Through Hole | R76QN2330CK30K.pdf | |
![]() | KM68V1000CLT-8L | KM68V1000CLT-8L SEC TSSOP | KM68V1000CLT-8L.pdf | |
![]() | IXDN514PI | IXDN514PI IXYS DIP8 | IXDN514PI.pdf | |
![]() | NVC1001/NVP1000A | NVC1001/NVP1000A NEXTCHIP QFP | NVC1001/NVP1000A.pdf |