창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S2H4AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S2-H4 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 148nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N04S2-H4 IPI80N04S2-H4-ND SP000218171 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N04S2H4AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N04S2, IPI80N04S2H4AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | LD065C473KAB2A | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD065C473KAB2A.pdf | |
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![]() | RNF14FTD5M23 | RES 5.23M OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD5M23.pdf | |
![]() | E1G1Y | E1G1Y ORIGINAL 3 SOT-23 | E1G1Y.pdf | |
![]() | CLT-115-02-L-DBE-K-TR | CLT-115-02-L-DBE-K-TR SAMTEC SMD or Through Hole | CLT-115-02-L-DBE-K-TR.pdf | |
![]() | MM3-6514S0034 | MM3-6514S0034 MS DIP18 | MM3-6514S0034.pdf | |
![]() | 0402CG399B9B200 | 0402CG399B9B200 PHILIPS MLCC-0402-0.1pf50 | 0402CG399B9B200.pdf | |
![]() | ZT3222LEEY | ZT3222LEEY ZYWYN TSSOP | ZT3222LEEY.pdf | |
![]() | 01-2606-1-5-12 | 01-2606-1-5-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 01-2606-1-5-12.pdf | |
![]() | TLP620 -4 | TLP620 -4 ORIGINAL DIP-16 | TLP620 -4.pdf | |
![]() | 1724026 | 1724026 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1724026.pdf |