창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S204AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N04S2-04 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI80N04S2-04 IPI80N04S2-04-ND SP000219058 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI80N04S204AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI80N04S2, IPI80N04S204AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LQP03TN2N1C02D | 2.1nH Unshielded Thin Film Inductor 600mA 150 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN2N1C02D.pdf | |
![]() | MCR18EZHFSR051 | RES SMD 0.051 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHFSR051.pdf | |
![]() | RCP1206W27R0JWB | RES SMD 27 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W27R0JWB.pdf | |
![]() | CRCW12061K20JNTC | RES SMD 1.2K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12061K20JNTC.pdf | |
![]() | GL-TXL6W | GL-TXL6W ORIGINAL SMD or Through Hole | GL-TXL6W.pdf | |
![]() | STM8AUDIO | STM8AUDIO ST QFP | STM8AUDIO.pdf | |
![]() | IDT72V82L20PA | IDT72V82L20PA ORIGINAL SMD or Through Hole | IDT72V82L20PA.pdf | |
![]() | 0225001-HXP | 0225001-HXP LITT 5D251 | 0225001-HXP.pdf | |
![]() | 10616QFD4W-03 | 10616QFD4W-03 VTC QFP | 10616QFD4W-03.pdf |