창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S204AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S2-04 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N04S2-04 IPI80N04S2-04-ND SP000219058 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N04S204AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N04S2, IPI80N04S204AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MKP385415100JIP2T0 | 0.15µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | MKP385415100JIP2T0.pdf | |
![]() | B81122A1224M | 0.22µF Film Capacitor 250V Polypropylene (PP) Radial 1.240" L x 0.532" W (31.50mm x 13.50mm) | B81122A1224M.pdf | |
![]() | RG2012P-620-W-T5 | RES SMD 62 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-620-W-T5.pdf | |
![]() | CMF551M7400FKBF | RES 1.74M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M7400FKBF.pdf | |
![]() | FCA16N60 | FCA16N60 FSC 1TO-247 | FCA16N60.pdf | |
![]() | TLP421F(ABB-TP4,J) | TLP421F(ABB-TP4,J) TOS SOP-4 | TLP421F(ABB-TP4,J).pdf | |
![]() | F872100 | F872100 ORIGINAL SMD or Through Hole | F872100.pdf | |
![]() | AQY211 | AQY211 ORIGINAL DIPSOP | AQY211.pdf | |
![]() | RD5.1M-T2B(5.1V) | RD5.1M-T2B(5.1V) NEC SMD or Through Hole | RD5.1M-T2B(5.1V).pdf | |
![]() | 2SD1834 T101 | 2SD1834 T101 ROHM SOT89 | 2SD1834 T101.pdf |