Infineon Technologies IPI65R600C6XKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPI65R600C6XKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPI65R600C6XKSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,143.99200
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPI65R600C6XKSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPI65R600C6XKSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPI65R600C6XKSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPI65R600C6XKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI65R600C6XKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI65R600C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R600C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 210µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI65R600C6 IPI65R600C6-ND SP000850504 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI65R600C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI65R600, IPI65R600C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPI65R600C6XKSA1 의 관련 제품
 | EKMH100VSN683MA50T | 68000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 12 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH100VSN683MA50T.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM219D71A475ME15D | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219D71A475ME15D.pdf | |
 | IXFH28N50Q | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 | IXFH28N50Q.pdf | |
 | 3090-470J | 47nH Unshielded Inductor 830mA 110 mOhm Max 2-SMD | 3090-470J.pdf | |
| MBA02040C1933DCT00 | RES 193K OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C1933DCT00.pdf | |
| 20066-10 | 20066-10 MA-COM SMA | 20066-10.pdf | |
| R8070AP 11951-11 | R8070AP 11951-11 N/A DIP64 | R8070AP 11951-11.pdf | |
| TD122N22KOF | TD122N22KOF EUPEC MODULE | TD122N22KOF.pdf | |
| CSTLS6M75G53-B0 | CSTLS6M75G53-B0 murata SMD | CSTLS6M75G53-B0.pdf | |
| BCF29R | BCF29R NXP SOT23R | BCF29R.pdf | |
| UDZTE-176.8C | UDZTE-176.8C ROHM SMD or Through Hole | UDZTE-176.8C.pdf | |
| M-982-01P | M-982-01P TELTONE DIP | M-982-01P.pdf |