창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI65R280C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R280C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI65R280C6 IPI65R280C6-ND SP000785056 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI65R280C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI65R280, IPI65R280C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LDM2D561MERZGA | 560µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | LDM2D561MERZGA.pdf | |
![]() | RG2012N-471-B-T5 | RES SMD 470 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-471-B-T5.pdf | |
![]() | 944N29 | 944N29 MOT DIP20 | 944N29.pdf | |
![]() | RPI352 | RPI352 ROHM SMD or Through Hole | RPI352.pdf | |
![]() | UDZSTFTE-1727B | UDZSTFTE-1727B ROHM SOD123 | UDZSTFTE-1727B.pdf | |
![]() | 54848-1108 | 54848-1108 MOLEX SMD or Through Hole | 54848-1108.pdf | |
![]() | LGK2509-0101C | LGK2509-0101C SMK SMD or Through Hole | LGK2509-0101C.pdf | |
![]() | RCR60CT52A106J | RCR60CT52A106J KOA SMD or Through Hole | RCR60CT52A106J.pdf | |
![]() | PNX7850E/G/Z/M2A,5 | PNX7850E/G/Z/M2A,5 NXP PNX7850E BGA240 TRAY | PNX7850E/G/Z/M2A,5.pdf | |
![]() | 0612CG150K9B2 | 0612CG150K9B2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0612CG150K9B2.pdf | |
![]() | SCDS2D14T-121T-N | SCDS2D14T-121T-N CHILISIN SMD | SCDS2D14T-121T-N.pdf | |
![]() | ELJMG12NAF | ELJMG12NAF panasonic SMD or Through Hole | ELJMG12NAF.pdf |