창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI65R110CFDXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R110CFD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 12.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3240pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 277.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI65R110CFD  IPI65R110CFD-ND SP000896398  | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI65R110CFDXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI65R110C, IPI65R110CFDXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]()  | ECQ-V1H823JL5 | 0.082µF Film Capacitor 50V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.142" W (7.30mm x 3.60mm) | ECQ-V1H823JL5.pdf | |
![]()  | S0402-68NG3S | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1.18 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-68NG3S.pdf | |
![]()  | RT0603BRD0713R7L | RES SMD 13.7 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0713R7L.pdf | |
![]()  | AT1206BRD0771R5L | RES SMD 71.5 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0771R5L.pdf | |
![]()  | PWR221T-30-2000F | RES 200 OHM 30W 1% TO220 | PWR221T-30-2000F.pdf | |
![]()  | ST16N10/100V | ST16N10/100V ORIGINAL SMD or Through Hole | ST16N10/100V.pdf | |
![]()  | TLV2217-18 | TLV2217-18 TI TO-220 | TLV2217-18.pdf | |
![]()  | EE80L5220 | EE80L5220 INTERSIL PLCC44 | EE80L5220.pdf | |
![]()  | COP842C-DCD/N | COP842C-DCD/N NS DIP | COP842C-DCD/N.pdf | |
![]()  | LM2931CDR2GOS | LM2931CDR2GOS ON AN | LM2931CDR2GOS.pdf |