창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI60R099CPXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPI60R099CP | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 255W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI60R099CP IPI60R099CP-ND IPI60R099CPAKSA1 SP000297356 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI60R099CPXKSA1 | |
관련 링크 | IPI60R099, IPI60R099CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
4P111F35CST | 11.0592MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P111F35CST.pdf | ||
4306H-101-153LF | RES ARRAY 5 RES 15K OHM 6SIP | 4306H-101-153LF.pdf | ||
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216M1SBBGA5 | 216M1SBBGA5 ATI SMD or Through Hole | 216M1SBBGA5.pdf | ||
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BZG04180TR | BZG04180TR VISHAY SMD | BZG04180TR.pdf |