창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI47N10SL26AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx47N10SL-26 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 175W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI47N10SL-26 IPI47N10SL-26-ND SP000225704 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI47N10SL26AKSA1 | |
관련 링크 | IPI47N10SL, IPI47N10SL26AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MCR10EZHJ122 | RES SMD 1.2K OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZHJ122.pdf | |
![]() | Y40231K00000T9W | RES SMD 1K OHM 0.01% 0.3W 1206 | Y40231K00000T9W.pdf | |
![]() | CRCW04021K80DHEDP | RES SMD 1.8K OHM 0.5% 1/16W 0402 | CRCW04021K80DHEDP.pdf | |
![]() | R15F06 | R15F06 NIEC SMD or Through Hole | R15F06.pdf | |
![]() | MAX122BCPE | MAX122BCPE MAX DIP | MAX122BCPE.pdf | |
![]() | LT1720IS8/TR | LT1720IS8/TR LT SOP | LT1720IS8/TR.pdf | |
![]() | MAADSS0008 | MAADSS0008 M/A-COM SMD or Through Hole | MAADSS0008.pdf | |
![]() | 53493-0807 | 53493-0807 ORIGINAL 5+ | 53493-0807.pdf | |
![]() | 2.00mm 90 | 2.00mm 90 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.00mm 90.pdf | |
![]() | XC3S2000-6FG676I | XC3S2000-6FG676I XILINX BGA | XC3S2000-6FG676I.pdf | |
![]() | EMT2 T2R | EMT2 T2R ROHM EMT6 | EMT2 T2R.pdf |