창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI200N25N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx200N25N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 64A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI200N25N3G IPI200N25N3GAKSA1 SP000714308 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI200N25N3 G | |
관련 링크 | IPI200N, IPI200N25N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RLP73M2BR039JTD | RES SMD 0.039 OHM 5% 1/2W 1206 | RLP73M2BR039JTD.pdf | |
![]() | CW02BR8200JE70HS | RES 0.82 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02BR8200JE70HS.pdf | |
![]() | ST24T3HX | ST24T3HX N/A SMD or Through Hole | ST24T3HX.pdf | |
![]() | NCP551SN29T1G | NCP551SN29T1G ON SOT23-5 | NCP551SN29T1G.pdf | |
![]() | UC3843ADG4 | UC3843ADG4 UC SOP8 | UC3843ADG4.pdf | |
![]() | TR3A685K016E3000 | TR3A685K016E3000 VISHAY SMD or Through Hole | TR3A685K016E3000.pdf | |
![]() | 54S162/BEAJC | 54S162/BEAJC TI CDIP | 54S162/BEAJC.pdf | |
![]() | 2SD0602AR | 2SD0602AR PANASO SC-59 | 2SD0602AR.pdf | |
![]() | AD9828JSTRL | AD9828JSTRL ADI SMD or Through Hole | AD9828JSTRL.pdf | |
![]() | 45AN-3300N | 45AN-3300N FSC BGA | 45AN-3300N.pdf | |
![]() | BF2510 | BF2510 SISIS QFP | BF2510.pdf |