창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI180N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx180N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI180N10N3 G IPI180N10N3 G-ND IPI180N10N3G SP000683076 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI180N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPI180N10N, IPI180N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 33-1/G4C-ARTB | Green 525nm LED Indication - Discrete 3.5V 4-DIP (0.200", 5.08mm) | 33-1/G4C-ARTB.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF1301U | RES SMD 1.3K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF1301U.pdf | |
![]() | YC324-JK-07360KL | RES ARRAY 4 RES 360K OHM 2012 | YC324-JK-07360KL.pdf | |
![]() | DDLAFHGQ | DDLAFHGQ INTERSIL QFN | DDLAFHGQ.pdf | |
![]() | USB0805C | USB0805C MICROSEMI SO-8 | USB0805C.pdf | |
![]() | DG304AAA/883 | DG304AAA/883 ORIGINAL CAN | DG304AAA/883.pdf | |
![]() | MOC8140 | MOC8140 ORIGINAL DIP-6 | MOC8140.pdf | |
![]() | X76F641A2.7 | X76F641A2.7 XICOR ORIGINAL | X76F641A2.7.pdf | |
![]() | RM2204GO | RM2204GO Raydium SMD or Through Hole | RM2204GO.pdf | |
![]() | 76105SKB | 76105SKB INTERSIL SMD or Through Hole | 76105SKB.pdf | |
![]() | ERZVA5D271 | ERZVA5D271 ORIGINAL SMD or Through Hole | ERZVA5D271.pdf | |
![]() | N252F | N252F ORIGINAL SOT23-6 | N252F.pdf |