창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI120N10S403AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120N10S4-03 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10120pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001102584 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI120N10S403AKSA1 | |
관련 링크 | IPI120N10S, IPI120N10S403AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRCW12185R36FNEK | RES SMD 5.36 OHM 1% 1W 1218 | CRCW12185R36FNEK.pdf | |
![]() | Y16253K65000B9W | RES SMD 3.65K OHM 0.1% 0.3W 1206 | Y16253K65000B9W.pdf | |
![]() | 23J900E | RES 900 OHM 3W 5% AXIAL | 23J900E.pdf | |
![]() | V0402MHS12NH | V0402MHS12NH LITTELFUSE SMD or Through Hole | V0402MHS12NH.pdf | |
![]() | R8A77211C133BGV | R8A77211C133BGV Renesas BGA256 | R8A77211C133BGV.pdf | |
![]() | BU2404-01 | BU2404-01 ROHM DIP | BU2404-01.pdf | |
![]() | ESAD39-060 | ESAD39-060 FUJI TO-3P | ESAD39-060.pdf | |
![]() | V23154D721F104 | V23154D721F104 TYCO SMD or Through Hole | V23154D721F104.pdf | |
![]() | 52003 | 52003 KEC DIPSOP | 52003.pdf | |
![]() | TC900CPA | TC900CPA TC DIP-8 | TC900CPA.pdf | |
![]() | 1K18 | 1K18 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1K18.pdf |