창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI120N04S302AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120N04S3-02 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 230µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI120N04S3-02 IPI120N04S3-02-ND IPI120N04S302 SP000261225 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI120N04S302AKSA1 | |
관련 링크 | IPI120N04S, IPI120N04S302AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RT0805CRB073K74L | RES SMD 3.74KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB073K74L.pdf | |
![]() | R76UI0270SE00J | R76UI0270SE00J KEM SMD or Through Hole | R76UI0270SE00J.pdf | |
![]() | LM2686MTD* | LM2686MTD* NS SOP | LM2686MTD*.pdf | |
![]() | PAYI TEL:82766440 | PAYI TEL:82766440 TI SOT23-5 | PAYI TEL:82766440.pdf | |
![]() | T034 | T034 TI TSSOP14 | T034.pdf | |
![]() | EPM3064ATC44-10N 1 | EPM3064ATC44-10N 1 ALTERA SMD or Through Hole | EPM3064ATC44-10N 1.pdf | |
![]() | LTS-313AP | LTS-313AP LITEON SMD or Through Hole | LTS-313AP.pdf | |
![]() | DS14C232CMX NOPB | DS14C232CMX NOPB NSC SMD or Through Hole | DS14C232CMX NOPB.pdf | |
![]() | K5D2G13AC | K5D2G13AC SAMSUNG BGA | K5D2G13AC.pdf | |
![]() | 3R150V | 3R150V UZ SMD or Through Hole | 3R150V.pdf | |
![]() | TPS40000 | TPS40000 ORIGINAL NSOIC8 | TPS40000.pdf | |
![]() | F711523AGFW | F711523AGFW BAY BGA | F711523AGFW.pdf |