Infineon Technologies IPI045N10N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPI045N10N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPI045N10N3 G 가격 및 조달
가능 수량
8836 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,835.76000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPI045N10N3 G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPI045N10N3 G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPI045N10N3 G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPI045N10N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI045N10N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI045N10N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI045N10N3G IPI045N10N3GXKSA1 SP000482424 SP000683068 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI045N10N3 G | |
| 관련 링크 | IPI045N, IPI045N10N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPI045N10N3 G 의 관련 제품
 | C0603C104M8RACTU | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C104M8RACTU.pdf | |
 | ABLNO-100.000MHZ-T2 | 100MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA | ABLNO-100.000MHZ-T2.pdf | |
 | BZW03D110-TR | DIODE ZENER 110V 1.85W SOD64 | BZW03D110-TR.pdf | |
 | P0180NL | Unshielded 2 Coil Inductor Array 131µH Inductance - Connected in Series 32.8µH Inductance - Connected in Parallel 106 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 2.2A Nonstandard | P0180NL.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW04026K65BEED | RES SMD 6.65KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04026K65BEED.pdf | |
 | RN73C2A665RBTG | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A665RBTG.pdf | |
 | MDH081 | MDH081 MINATO DIP | MDH081.pdf | |
| LCX0324ANB8 | LCX0324ANB8 SONY LCD | LCX0324ANB8.pdf | |
| D44165362AF5-E50-EQ2 | D44165362AF5-E50-EQ2 NEC BGA | D44165362AF5-E50-EQ2.pdf | |
| S2095 | S2095 SIMB SMD or Through Hole | S2095.pdf | |
| X53A | X53A XIX SOP8 | X53A.pdf | |
| IPB025N08N3 | IPB025N08N3 INFINEON TO-263 | IPB025N08N3.pdf |