Infineon Technologies IPI041N12N3GAKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPI041N12N3GAKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- 데이터 시트 다운로드
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IPI041N12N3GAKSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,538.11000
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IPI041N12N3GAKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI041N12N3GAKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI041N12N3 G IPI041N12N3 G-ND IPI041N12N3G SP000652748 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI041N12N3GAKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI041N12N, IPI041N12N3GAKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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