창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI032N06N3GAKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000680650 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI032N06N3GAKSA1 | |
관련 링크 | IPI032N06N, IPI032N06N3GAKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
416F40622CAT | 40.61MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40622CAT.pdf | ||
ERA-3AEB1070V | RES SMD 107 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB1070V.pdf | ||
CMF55274K00FEEK | RES 274K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55274K00FEEK.pdf | ||
400USG471M35X30 | 400USG471M35X30 RUBYCON DIP | 400USG471M35X30.pdf | ||
LC4256C-75FN256BC | LC4256C-75FN256BC LATTICE BGA | LC4256C-75FN256BC.pdf | ||
LT1208A | LT1208A LT DIP | LT1208A.pdf | ||
XF01962-20B | XF01962-20B XFMRS SOP-6 | XF01962-20B.pdf | ||
SUCW1R51215 | SUCW1R51215 COSEL SMD or Through Hole | SUCW1R51215.pdf | ||
FNC500115 | FNC500115 PERICOM SMD or Through Hole | FNC500115.pdf | ||
XC2S200-5PQ2081 | XC2S200-5PQ2081 XILINX SMD or Through Hole | XC2S200-5PQ2081.pdf | ||
CTLL1608F-15NK | CTLL1608F-15NK ORIGINAL NA | CTLL1608F-15NK.pdf |