창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI030N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP030N10N3, IPP030N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 275µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000680648 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI030N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPI030N10N, IPI030N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 2-1462050-7 | RELAY RF 1FORMC/1CO 2A 12V | 2-1462050-7.pdf | |
![]() | 766141822GPTR13 | RES ARRAY 13 RES 8.2K OHM 14SOIC | 766141822GPTR13.pdf | |
![]() | RNF14DTD10K0 | RES 10K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD10K0.pdf | |
![]() | P89CS1RD+IA | P89CS1RD+IA PHILIPS DIP | P89CS1RD+IA.pdf | |
![]() | 400V47UF (16*25) | 400V47UF (16*25) QIFA SMD or Through Hole | 400V47UF (16*25).pdf | |
![]() | 353821 | 353821 INVENT BGA | 353821.pdf | |
![]() | MT48LC4M16A2B4-6 | MT48LC4M16A2B4-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | MT48LC4M16A2B4-6.pdf | |
![]() | MC8030 | MC8030 M DIP | MC8030.pdf | |
![]() | 15397577 | 15397577 DELPPHI SMD or Through Hole | 15397577.pdf | |
![]() | HYB18T256400AF | HYB18T256400AF INFINEON FBGA-60 | HYB18T256400AF.pdf | |
![]() | TPS60300DGSR | TPS60300DGSR ORIGINAL SMD or Through Hole | TPS60300DGSR.pdf | |
![]() | NFM839R02C101R470J1M | NFM839R02C101R470J1M MURATA SMD or Through Hole | NFM839R02C101R470J1M.pdf |