창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI029N06N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPI029N06N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 75µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI029N06NAKSA1 SP000962134 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI029N06N | |
| 관련 링크 | IPI029, IPI029N06N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PRG3216P-4751-B-T5 | RES SMD 4.75K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-4751-B-T5.pdf | |
![]() | HY27UU088G5M | HY27UU088G5M HY TSOP-48 | HY27UU088G5M.pdf | |
![]() | NL252018T-4R7J-PF | NL252018T-4R7J-PF TDK SMD | NL252018T-4R7J-PF.pdf | |
![]() | HS-GD0001 3W | HS-GD0001 3W ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-GD0001 3W.pdf | |
![]() | IRKJ56/14A | IRKJ56/14A IR SMD or Through Hole | IRKJ56/14A.pdf | |
![]() | CBG160808U221 | CBG160808U221 ORIGINAL 1608 0603 | CBG160808U221.pdf | |
![]() | JRC-23F-24V | JRC-23F-24V QIANJI DIP | JRC-23F-24V.pdf | |
![]() | BD9111NV | BD9111NV ROHM SON008V5060 | BD9111NV.pdf | |
![]() | V23026-A1004-B201 6PIN | V23026-A1004-B201 6PIN SIM RELAY | V23026-A1004-B201 6PIN.pdf | |
![]() | P6SBMJ82CA | P6SBMJ82CA SIRECT SMB | P6SBMJ82CA.pdf | |
![]() | OM6103SR | OM6103SR IR D2 | OM6103SR.pdf |