창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI020N06N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPI020N06N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 143µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 106nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7800pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI020N06NAKSA1 SP000962132 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI020N06N | |
| 관련 링크 | IPI020, IPI020N06N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BZT03D11-TAP | TVS DIODE 8.6VWM 16.2VC SOD57 | BZT03D11-TAP.pdf | |
![]() | SMAJ5925AE3/TR13 | DIODE ZENER 10V 3W DO214AC | SMAJ5925AE3/TR13.pdf | |
![]() | RKZ6.8ZMFAKTP1 | RKZ6.8ZMFAKTP1 RENESAS SOT-353 | RKZ6.8ZMFAKTP1.pdf | |
![]() | M30622SAFP-T00L | M30622SAFP-T00L MIT QFP | M30622SAFP-T00L.pdf | |
![]() | AD53033JSTP | AD53033JSTP ORIGINAL QFP | AD53033JSTP .pdf | |
![]() | MLZ-201209-R10K | MLZ-201209-R10K ORIGINAL SMD | MLZ-201209-R10K.pdf | |
![]() | 10017251-272240ELF | 10017251-272240ELF FCI() SMD or Through Hole | 10017251-272240ELF.pdf | |
![]() | 894D115BGI-01L | 894D115BGI-01L IDT ROHS | 894D115BGI-01L.pdf | |
![]() | NJU7505AD | NJU7505AD JRC DIP8 | NJU7505AD.pdf | |
![]() | G5PA-28NW-24V | G5PA-28NW-24V OMRON SMD or Through Hole | G5PA-28NW-24V.pdf | |
![]() | ZM1086CS-3.3 | ZM1086CS-3.3 SZ SOT-263 | ZM1086CS-3.3.pdf | |
![]() | SIS662 AO | SIS662 AO SIS BGA | SIS662 AO.pdf |