Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1

IPG20N10S4L22AATMA1
제조업체 부품 번호
IPG20N10S4L22AATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-IPG20N10S4L22AATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPG20N10S4L-22A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A
Rds On(최대) @ Id, Vgs22m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1755pF @ 25V
전력 - 최대60W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8-10
표준 포장 5,000
다른 이름IPG20N10S4L22AATMA1TR
SP001091984
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPG20N10S4L22AATMA1
관련 링크IPG20N10S4L, IPG20N10S4L22AATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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