창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPG20N06S415ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPG20N06S4-15 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.5m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 20µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-4(5.15x6.15) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001028634 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPG20N06S415ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPG20N06S4, IPG20N06S415ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | IHTH0750JZEB1R0M5A | 1µH Shielded Inductor 55A 0.919 mOhm Max Radial | IHTH0750JZEB1R0M5A.pdf | |
![]() | CRCW080520R0JNTB | RES SMD 20 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080520R0JNTB.pdf | |
![]() | AT24C04N-10SI-2.7B2 | AT24C04N-10SI-2.7B2 AT/SOP SMD or Through Hole | AT24C04N-10SI-2.7B2.pdf | |
![]() | 74F151DR2 | 74F151DR2 MOT SOP39 | 74F151DR2.pdf | |
![]() | UCC3809N1 | UCC3809N1 TI DIP-8 | UCC3809N1.pdf | |
![]() | BU2838AS | BU2838AS ROHM DIP | BU2838AS.pdf | |
![]() | CT05-10NK-RC | CT05-10NK-RC ALLIED SMD | CT05-10NK-RC.pdf | |
![]() | 81C30G-Q-AB3-E-R | 81C30G-Q-AB3-E-R UTC SOT89-3 | 81C30G-Q-AB3-E-R.pdf | |
![]() | CMR200TB32.768KDZF-UT | CMR200TB32.768KDZF-UT CITIZEN SMD or Through Hole | CMR200TB32.768KDZF-UT.pdf | |
![]() | M37280MF-237SP | M37280MF-237SP RENESAS PBF | M37280MF-237SP.pdf | |
![]() | CXD1457R | CXD1457R ORIGINAL SMD or Through Hole | CXD1457R.pdf | |
![]() | HDP03-12S03 | HDP03-12S03 HOPLITE SMD or Through Hole | HDP03-12S03.pdf |