Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1

IPG20N06S2L50ATMA1
제조업체 부품 번호
IPG20N06S2L50ATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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내부 부품 번호EIS-IPG20N06S2L50ATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPG20N06S2L-50
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A
Rds On(최대) @ Id, Vgs50m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 19µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds560pF @ 25V
전력 - 최대51W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
표준 포장 5,000
다른 이름IPG20N06S2L-50
IPG20N06S2L-50-ND
SP000613728
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPG20N06S2L50ATMA1
관련 링크IPG20N06S2, IPG20N06S2L50ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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