창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPG20N04S4L08AATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPG20N04S4L-08A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 22µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 54W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001265576 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPG20N04S4L08AATMA1 | |
| 관련 링크 | IPG20N04S4L, IPG20N04S4L08AATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1825SC103MAT1A\SB | 10000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825SC103MAT1A\SB.pdf | |
![]() | 416F40611CKR | 40.61MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40611CKR.pdf | |
![]() | AC0201FR-0764K9L | RES SMD 64.9K OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-0764K9L.pdf | |
![]() | H847KFZA | RES 47.0K OHM 1/4W 1% AXIAL | H847KFZA.pdf | |
![]() | PMB8760EV1.3 | PMB8760EV1.3 Infineon BGA | PMB8760EV1.3.pdf | |
![]() | LSD4F8460REV | LSD4F8460REV TI TQFP | LSD4F8460REV.pdf | |
![]() | MAX1258B ETM | MAX1258B ETM max QFN | MAX1258B ETM.pdf | |
![]() | CNF10C220S-TM | CNF10C220S-TM MARUWA SMD or Through Hole | CNF10C220S-TM.pdf | |
![]() | MAX9508ATE+ | MAX9508ATE+ MAXIM QFN16 | MAX9508ATE+.pdf | |
![]() | SML4065AN | SML4065AN SEMELAB SMD or Through Hole | SML4065AN.pdf | |
![]() | CM-252018-2R2J | CM-252018-2R2J ORIGINAL SMD or Through Hole | CM-252018-2R2J.pdf | |
![]() | MAX351EPE | MAX351EPE MAXIM DIP16 | MAX351EPE.pdf |