창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPG16N10S461AATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPG16N10S4-61A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 61m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 9µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 29W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001091952 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPG16N10S461AATMA1 | |
| 관련 링크 | IPG16N10S4, IPG16N10S461AATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CRL2512-FW-R050ELF | RES SMD 0.05 OHM 1% 1W 2512 | CRL2512-FW-R050ELF.pdf | |
![]() | H8280KBZA | RES 280K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8280KBZA.pdf | |
![]() | RSLIC1P04 | RSLIC1P04 ALCATEL PLCC44 | RSLIC1P04.pdf | |
![]() | 121583-0058 | 121583-0058 ITT-CANNON SMD or Through Hole | 121583-0058.pdf | |
![]() | SG1525J1883 | SG1525J1883 LINFINIT DIP | SG1525J1883.pdf | |
![]() | CIP21T182NE(1800MHZ) | CIP21T182NE(1800MHZ) SAMSUNG SMD or Through Hole | CIP21T182NE(1800MHZ).pdf | |
![]() | AP2S-26.000MHZ-EJ | AP2S-26.000MHZ-EJ abracon SMD or Through Hole | AP2S-26.000MHZ-EJ.pdf | |
![]() | R1279NS22L | R1279NS22L Westcode SMD or Through Hole | R1279NS22L.pdf | |
![]() | LT1178ACN | LT1178ACN LT DIP8 | LT1178ACN.pdf | |
![]() | M27C801-100F1M | M27C801-100F1M ST CDIP-32 | M27C801-100F1M.pdf | |
![]() | UC1710JQMLV 5962-0152001VXA | UC1710JQMLV 5962-0152001VXA TI SMD or Through Hole | UC1710JQMLV 5962-0152001VXA.pdf |