창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPF10N03LA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx10N03LA G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 07/Mar/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1358pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | P-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPF10N03LAT SP000014985 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPF10N03LA | |
관련 링크 | IPF10N, IPF10N03LA 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BUK9K18-40E,115 | MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D | BUK9K18-40E,115.pdf | |
![]() | Y116950K0000A9L | RES SMD 50KOHM 0.05% 0.4W J LEAD | Y116950K0000A9L.pdf | |
![]() | HD6417615AF | HD6417615AF HIT QFP | HD6417615AF.pdf | |
![]() | 043103.5NRI-3.5A | 043103.5NRI-3.5A LITTELFUSE SMD or Through Hole | 043103.5NRI-3.5A.pdf | |
![]() | S11MD4T/V | S11MD4T/V SHARP DIP-5-6 | S11MD4T/V.pdf | |
![]() | TSM0071N | TSM0071N ST DIP-8 | TSM0071N.pdf | |
![]() | V61C518256-10R | V61C518256-10R ORIGINAL SOJ | V61C518256-10R.pdf | |
![]() | EVM3SSX50B34 | EVM3SSX50B34 PANASONIC SMD or Through Hole | EVM3SSX50B34.pdf | |
![]() | SD4863 | SD4863 SD SMD or Through Hole | SD4863.pdf | |
![]() | 8ETU04STRLPBF | 8ETU04STRLPBF VISHAY SMD or Through Hole | 8ETU04STRLPBF.pdf | |
![]() | KRC851E-RTK/P | KRC851E-RTK/P KEC PBFree | KRC851E-RTK/P.pdf |