창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPDH4N03LAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD,IPSH4N03LA G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 40µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPDH4N03LAGINCT IPDH4N03LAGXTINCT IPDH4N03LAGXTINCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPDH4N03LAG | |
| 관련 링크 | IPDH4N, IPDH4N03LAG 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B37871K5181J060 | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | B37871K5181J060.pdf | |
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![]() | 1SS1887 | 1SS1887 ORIGINAL DIP | 1SS1887.pdf | |
![]() | KA317T/LM317T | KA317T/LM317T FAIRCHILD TO-220 | KA317T/LM317T.pdf | |
![]() | KPC1010/817 | KPC1010/817 COMSO DIP | KPC1010/817.pdf | |
![]() | 6746-2160 | 6746-2160 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6746-2160.pdf | |
![]() | 215RAAGA31FG | 215RAAGA31FG ATI BGA | 215RAAGA31FG.pdf | |
![]() | YH6116ALP-10 | YH6116ALP-10 HYUNDAI DIP24 | YH6116ALP-10.pdf | |
![]() | MP9E | MP9E MPS QFN6 | MP9E.pdf | |
![]() | CP2104 | CP2104 SILICON QFN24 | CP2104.pdf |