창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD90N10S4L06ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD90N10S4L-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000866562 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD90N10S4L06ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD90N10S4, IPD90N10S4L06ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MALREKB00PB368BL0K | 680µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 550 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | MALREKB00PB368BL0K.pdf | |
![]() | IHSM3825PJ561L | 560µH Unshielded Inductor 210mA 8.85 Ohm Max Nonstandard | IHSM3825PJ561L.pdf | |
![]() | AMS1117A-18 | AMS1117A-18 AMS TO252 | AMS1117A-18.pdf | |
![]() | IPD03N03LAGpb-FREE | IPD03N03LAGpb-FREE INFINEON SMD or Through Hole | IPD03N03LAGpb-FREE.pdf | |
![]() | FA82537EP | FA82537EP INTER QFP | FA82537EP.pdf | |
![]() | IR3R17 | IR3R17 SHARP DIP | IR3R17.pdf | |
![]() | NJM2521 | NJM2521 JRC MSOP | NJM2521.pdf | |
![]() | 102S43W473MV4E-RC | 102S43W473MV4E-RC JOH SMD or Through Hole | 102S43W473MV4E-RC.pdf | |
![]() | ES1G-F | ES1G-F LITEON SMA | ES1G-F.pdf | |
![]() | XC3S1200E-5FTG266C | XC3S1200E-5FTG266C XL BGA | XC3S1200E-5FTG266C.pdf | |
![]() | LXC100-2800SW | LXC100-2800SW Excelsys SMD or Through Hole | LXC100-2800SW.pdf | |
![]() | LM3576X-ADJ/NOPB | LM3576X-ADJ/NOPB NSC ROHS | LM3576X-ADJ/NOPB.pdf |