창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD90N06S4L06ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD90N06S4L-06 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 40µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD90N06S4L-06 IPD90N06S4L-06-ND SP000415594 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD90N06S4L06ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD90N06S4, IPD90N06S4L06ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RCWE102024L0JKEA | RES SMD 0.024 OHM 2W 2010 WIDE | RCWE102024L0JKEA.pdf | |
![]() | RG1608N-4751-B-T5 | RES SMD 4.75KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-4751-B-T5.pdf | |
![]() | 3302/25 | 3302/25 ORIGINAL NEW | 3302/25.pdf | |
![]() | FMB32M | FMB32M SANKEN TO-3PF | FMB32M.pdf | |
![]() | NK4-0034 | NK4-0034 CANON SMD or Through Hole | NK4-0034.pdf | |
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