창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD90N06S405ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD90N06S4-05 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD90N06S4-05 IPD90N06S4-05-ND SP000481510 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD90N06S405ATMA1 | |
관련 링크 | IPD90N06S4, IPD90N06S405ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | TNPW201022K1BEEY | RES SMD 22.1K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201022K1BEEY.pdf | |
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![]() | LG631-9R57Z2 | LG631-9R57Z2 SANYO DIP | LG631-9R57Z2.pdf | |
![]() | RN60C6041FRE6 | RN60C6041FRE6 VISHAY 2012 | RN60C6041FRE6.pdf | |
![]() | AM9AB0036-096 | AM9AB0036-096 ORIGINAL SMD or Through Hole | AM9AB0036-096.pdf | |
![]() | LM336 5.0V | LM336 5.0V ORIGINAL TO92 | LM336 5.0V.pdf |