창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD90N04S4L04ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD90N04S4L-04 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4690pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD90N04S4L-04 IPD90N04S4L-04-ND SP000646188 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD90N04S4L04ATMA1 | |
관련 링크 | IPD90N04S4, IPD90N04S4L04ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | ADJ52048 | ADJ(DJ) RELAY (SEALED, 2C, 1-COI | ADJ52048.pdf | |
![]() | HS25 200R F | RES CHAS MNT 200 OHM 1% 25W | HS25 200R F.pdf | |
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![]() | LK1608R82M-T(0603-82NH) | LK1608R82M-T(0603-82NH) ORIGINAL SMD or Through Hole | LK1608R82M-T(0603-82NH).pdf | |
![]() | 194D474X0050C2T | 194D474X0050C2T VISHAY SMD or Through Hole | 194D474X0050C2T.pdf | |
![]() | B65671D1000A048 | B65671D1000A048 EPCOS SMD or Through Hole | B65671D1000A048.pdf | |
![]() | MG200N1US41 | MG200N1US41 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG200N1US41.pdf | |
![]() | N82C42PE/PC | N82C42PE/PC INTEL PLCC44 | N82C42PE/PC.pdf | |
![]() | 18F-2Z-A1 MY2 | 18F-2Z-A1 MY2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 18F-2Z-A1 MY2 .pdf |