창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD90N04S404ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD90N04S4-04 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD90N04S4-04 IPD90N04S4-04-ND SP000646186 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD90N04S404ATMA1 | |
관련 링크 | IPD90N04S4, IPD90N04S404ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FC4L16R020FER | RES SMD 0.02 OHM 1/4W 0604 WIDE | FC4L16R020FER.pdf | ||
CAT1025WI30-3.3V | CAT1025WI30-3.3V CATACYS SOP | CAT1025WI30-3.3V.pdf | ||
6651B1 | 6651B1 SSS QFP | 6651B1.pdf | ||
TS431AILT-E | TS431AILT-E ST SOT153 | TS431AILT-E.pdf | ||
WN-1WT2M2-X | WN-1WT2M2-X WN SMD or Through Hole | WN-1WT2M2-X.pdf | ||
FQB2N30 | FQB2N30 FAI SMD or Through Hole | FQB2N30.pdf | ||
CA3020ATX | CA3020ATX HARRIS CAN12 | CA3020ATX.pdf | ||
MT29F128G08CFAABWP-12:A | MT29F128G08CFAABWP-12:A MICRON SMD or Through Hole | MT29F128G08CFAABWP-12:A.pdf | ||
DP84240N | DP84240N NSC DIP | DP84240N.pdf | ||
EPM7128AFC100-4 | EPM7128AFC100-4 ALTERA BGA | EPM7128AFC100-4.pdf | ||
DS8921ATM+ | DS8921ATM+ NSC SMD or Through Hole | DS8921ATM+.pdf | ||
SI4559EYT1E3 | SI4559EYT1E3 sil SMD or Through Hole | SI4559EYT1E3.pdf |